目前石(shi)英(ying)坩(gan)(gan)(gan)堝(guo)生產(chan)涂(tu)層技術(shu)已被大多數廠家使用(yong)就是在普通石(shi)英(ying)砂溶制(zhi)(zhi)的(de)坩(gan)(gan)(gan)堝(guo)表面(mian)涂(tu)上一層高(gao)純度(du)石(shi)英(ying)砂使其(qi)(qi)形成(cheng)致密(mi)層，其(qi)(qi)致密(mi)層能阻(zu)止(zhi)單晶(jing)硅(gui)高(gao)溫拉制(zhi)(zhi)過程中硅(gui)與石(shi)英(ying)坩(gan)(gan)(gan)堝(guo)反應提高(gao)成(cheng)晶(jing)率。

　　石英坩堝工藝流程

尤(you)尼(ni)明高純石英(ying)(ying)砂(sha)→高純石墨(mo)模(mo)具→真(zhen)(zhen)空裝料成(cheng)型(xing)→真(zhen)(zhen)空電(dian)弧熔(rong)制→自(zi)然冷卻(que)脫模(mo)→石英(ying)(ying)坩堝(guo)初步檢(jian)測(ce)→冷加工噴(pen)砂(sha)、切斷(duan)、倒角→石英(ying)(ying)坩堝(guo)二次檢(jian)測(ce)→超凈清洗、超聲、高壓噴(pen)淋、自(zi)動(dong)烘干→石英(ying)(ying)坩堝(guo)三次檢(jian)驗(yan)→真(zhen)(zhen)空包裝→成(cheng)品入庫。

      石英坩堝用途

1、石英坩堝可在(zai)1450度以下(xia)使用(yong)，分(fen)透(tou)(tou)明(ming)和不透(tou)(tou)明(ming)兩種。用(yong)電弧法制(zhi)的半(ban)透(tou)(tou)明(ming)石英坩堝是(shi)拉制(zhi)大直徑單晶硅，發展大規模集成電路必(bi)不可少的基(ji)礎(chu)材料。

當(dang)今(jin)，世界半導體工(gong)業發達已用(yong)此(ci)坩堝取代了小的透明石英坩堝。具(ju)有高純度、耐溫(wen)性強、尺寸大(da)精度高、保溫(wen)性好、節約能源、質量穩定(ding)等優(you)點(dian)。

　　2、不能和HF接觸，高溫時，較(jiao)容易(yi)易(yi)和苛性堿(jian)(jian)及堿(jian)(jian)金屬的碳酸鹽作用。

　　3、石英坩堝適于(yu)用K2S2O7,KHSO4作(zuo)熔(rong)(rong)劑(ji)(ji)熔(rong)(rong)融樣(yang)品(pin)和用Na2S207（先在212度烘干）作(zuo)熔(rong)(rong)劑(ji)(ji)處理樣(yang)品(pin)。

　　4、石英質脆(cui)，易破，使用(yong)時(shi)要(yao)注意。

　　5、除HF外，普(pu)通稀無機酸(suan)可用作清洗液。