目前石(shi)英(ying)坩堝生產涂(tu)層(ceng)技術已被大多數(shu)廠(chang)家使(shi)用就是在普通石(shi)英(ying)砂溶制(zhi)的坩堝表面涂(tu)上一(yi)層(ceng)高(gao)純度石(shi)英(ying)砂使(shi)其形成致密層(ceng)，其致密層(ceng)能阻止單晶硅高(gao)溫(wen)拉(la)制(zhi)過程中硅與石(shi)英(ying)坩堝反應提(ti)高(gao)成晶率。

　　石英坩堝工藝流程

尤(you)尼明高(gao)純石(shi)(shi)英砂→高(gao)純石(shi)(shi)墨模具→真空裝料成型(xing)→真空電弧(hu)熔(rong)制(zhi)→自然冷卻(que)脫模→石(shi)(shi)英坩堝(guo)初步檢(jian)測→冷加工噴砂、切斷、倒角→石(shi)(shi)英坩堝(guo)二(er)次檢(jian)測→超凈清洗、超聲、高(gao)壓噴淋、自動烘干→石(shi)(shi)英坩堝(guo)三次檢(jian)驗(yan)→真空包(bao)裝→成品入庫(ku)。

      石英坩堝用途

1、石(shi)英(ying)坩堝可在1450度(du)以下使用，分透(tou)明和(he)不透(tou)明兩種。用電(dian)弧法(fa)制的半(ban)透(tou)明石(shi)英(ying)坩堝是(shi)拉制大直徑單晶硅，發展大規模集成(cheng)電(dian)路必不可少(shao)的基礎材料。

當今，世界半導體工業發達已用此坩堝取(qu)代了小的透明石英(ying)坩堝。具(ju)有高(gao)純度、耐溫性(xing)強、尺寸(cun)大精度高(gao)、保(bao)溫性(xing)好、節(jie)約能(neng)源、質量(liang)穩定等優點。

　　2、不能和HF接觸，高溫時，較容易易和苛性堿(jian)及堿(jian)金屬的碳酸(suan)鹽作用。

　　3、石(shi)英坩堝適于用K2S2O7,KHSO4作熔劑熔融樣(yang)品和用Na2S207（先在212度烘(hong)干(gan)）作熔劑處(chu)理(li)樣(yang)品。

　　4、石英質脆，易(yi)破，使用時(shi)要(yao)注意。

　　5、除HF外，普通稀無機酸可用作(zuo)清洗(xi)液。