目(mu)前石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝生(sheng)產涂層(ceng)技術已被(bei)大多數廠家(jia)使用就是在(zai)普通石(shi)(shi)英(ying)砂溶制(zhi)(zhi)的坩(gan)堝表(biao)面涂上一層(ceng)高(gao)純(chun)度石(shi)(shi)英(ying)砂使其形成(cheng)致密(mi)層(ceng)，其致密(mi)層(ceng)能阻止(zhi)單晶硅(gui)高(gao)溫(wen)拉制(zhi)(zhi)過程中硅(gui)與石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝反應提高(gao)成(cheng)晶率。

　　石英坩堝工藝流程

尤(you)尼(ni)明高純石(shi)(shi)(shi)英砂(sha)→高純石(shi)(shi)(shi)墨模(mo)(mo)具(ju)→真(zhen)空裝(zhuang)料成型→真(zhen)空電弧熔制→自(zi)然冷卻脫模(mo)(mo)→石(shi)(shi)(shi)英坩堝(guo)(guo)初步檢測→冷加工噴砂(sha)、切斷、倒角→石(shi)(shi)(shi)英坩堝(guo)(guo)二(er)次(ci)檢測→超(chao)凈清洗、超(chao)聲、高壓噴淋、自(zi)動(dong)烘干(gan)→石(shi)(shi)(shi)英坩堝(guo)(guo)三次(ci)檢驗→真(zhen)空包裝(zhuang)→成品入庫。

      石英坩堝用途

1、石英坩(gan)堝(guo)可在1450度以下使用，分透明(ming)和不(bu)透明(ming)兩(liang)種。用電(dian)弧法制的(de)半透明(ming)石英坩(gan)堝(guo)是拉(la)制大直徑單(dan)晶硅，發展(zhan)大規模集成電(dian)路必不(bu)可少的(de)基礎材(cai)料。

當今，世界半導(dao)體工業發達已用此坩堝(guo)取代了(le)小的透明石英坩堝(guo)。具(ju)有高(gao)純度(du)、耐溫性強、尺寸大精(jing)度(du)高(gao)、保(bao)溫性好、節約能源、質量穩定等優點(dian)。

　　2、不(bu)能和(he)HF接觸，高溫時，較容(rong)易易和(he)苛性堿及堿金屬的碳酸鹽作(zuo)用。

　　3、石(shi)英坩堝適于用(yong)K2S2O7,KHSO4作熔劑熔融樣品和用(yong)Na2S207（先在212度(du)烘干）作熔劑處理樣品。

　　4、石(shi)英質脆，易破，使用時要注意。

　　5、除(chu)HF外(wai)，普通稀無(wu)機(ji)酸可用作(zuo)清(qing)洗液。