目前石(shi)英(ying)坩(gan)堝生產涂層技術已(yi)被(bei)大多數廠家使(shi)用就是在(zai)普(pu)通石(shi)英(ying)砂溶制(zhi)的坩(gan)堝表面(mian)涂上一層高(gao)純(chun)度石(shi)英(ying)砂使(shi)其形成(cheng)致(zhi)(zhi)密(mi)層，其致(zhi)(zhi)密(mi)層能阻止單晶(jing)硅高(gao)溫拉(la)制(zhi)過程中(zhong)硅與石(shi)英(ying)坩(gan)堝反(fan)應提(ti)高(gao)成(cheng)晶(jing)率。

　　石英坩堝工藝流程

尤(you)尼明高純石(shi)英(ying)砂(sha)→高純石(shi)墨模(mo)具(ju)→真(zhen)(zhen)空裝(zhuang)料成(cheng)(cheng)型(xing)→真(zhen)(zhen)空電弧(hu)熔制→自然冷卻(que)脫(tuo)模(mo)→石(shi)英(ying)坩(gan)(gan)堝(guo)初(chu)步檢測→冷加工(gong)噴砂(sha)、切(qie)斷、倒角→石(shi)英(ying)坩(gan)(gan)堝(guo)二次(ci)檢測→超(chao)凈清洗、超(chao)聲、高壓噴淋、自動烘(hong)干→石(shi)英(ying)坩(gan)(gan)堝(guo)三次(ci)檢驗→真(zhen)(zhen)空包裝(zhuang)→成(cheng)(cheng)品入庫。

      石英坩堝用途

1、石英(ying)坩堝(guo)可(ke)(ke)在1450度以(yi)下(xia)使用(yong)，分透明和不透明兩種。用(yong)電(dian)弧法制的(de)半透明石英(ying)坩堝(guo)是拉制大(da)直徑單晶(jing)硅(gui)，發展大(da)規模集成電(dian)路必不可(ke)(ke)少的(de)基礎材料。

當今，世界半導體工(gong)業發(fa)達(da)已(yi)用此坩(gan)堝取代了(le)小的透(tou)明石(shi)英坩(gan)堝。具有(you)高純度、耐溫性(xing)強(qiang)、尺寸(cun)大精(jing)度高、保(bao)溫性(xing)好、節約(yue)能源、質量穩定等優點。

　　2、不能和(he)HF接(jie)觸，高溫時，較容易(yi)易(yi)和(he)苛性堿及堿金屬的碳酸鹽作(zuo)用。

　　3、石英(ying)坩堝(guo)適于用K2S2O7,KHSO4作熔劑(ji)熔融樣品(pin)(pin)和(he)用Na2S207（先(xian)在212度(du)烘干）作熔劑(ji)處理樣品(pin)(pin)。

　　4、石英質(zhi)脆，易破，使(shi)用(yong)時(shi)要注意。

　　5、除HF外，普通稀無機酸可用作清洗液。