目前石英(ying)(ying)坩(gan)堝生產涂層(ceng)(ceng)技術(shu)已被大多數(shu)廠(chang)家使用就是在普(pu)通石英(ying)(ying)砂溶制(zhi)的坩(gan)堝表面涂上一層(ceng)(ceng)高(gao)純(chun)度(du)石英(ying)(ying)砂使其形成致密層(ceng)(ceng)，其致密層(ceng)(ceng)能阻止單晶(jing)硅高(gao)溫拉制(zhi)過程中硅與(yu)石英(ying)(ying)坩(gan)堝反應(ying)提高(gao)成晶(jing)率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼明高純(chun)石(shi)英(ying)砂→高純(chun)石(shi)墨模(mo)具→真空(kong)裝料成型(xing)→真空(kong)電弧熔制→自(zi)然冷(leng)卻脫模(mo)→石(shi)英(ying)坩(gan)堝初步檢(jian)測(ce)→冷(leng)加(jia)工噴(pen)砂、切斷、倒角→石(shi)英(ying)坩(gan)堝二(er)次檢(jian)測(ce)→超凈清洗、超聲、高壓噴(pen)淋、自(zi)動烘干→石(shi)英(ying)坩(gan)堝三次檢(jian)驗→真空(kong)包(bao)裝→成品(pin)入庫。

      石英坩堝用途

1、石(shi)英坩堝(guo)可(ke)在1450度以下使用(yong)，分透(tou)明和不透(tou)明兩(liang)種。用(yong)電(dian)弧法制的(de)半透(tou)明石(shi)英坩堝(guo)是拉制大(da)直(zhi)徑單(dan)晶硅，發展大(da)規模集成電(dian)路必不可(ke)少的(de)基礎(chu)材料。

當今，世界半導(dao)體工業發達已用此坩堝(guo)取代了(le)小(xiao)的(de)透(tou)明(ming)石(shi)英坩堝(guo)。具有高(gao)純(chun)度、耐(nai)溫性(xing)強、尺寸大精度高(gao)、保溫性(xing)好、節約能源、質量穩定(ding)等優點。

　　2、不(bu)能(neng)和HF接觸，高溫時，較容(rong)易易和苛性(xing)堿及堿金(jin)屬的(de)碳酸鹽作用。

　　3、石(shi)英坩堝(guo)適(shi)于用K2S2O7,KHSO4作(zuo)熔劑熔融樣品和用Na2S207（先在212度(du)烘干）作(zuo)熔劑處(chu)理樣品。

　　4、石英(ying)質脆(cui)，易破，使(shi)用時要注意(yi)。

　　5、除HF外(wai)，普(pu)通稀無機酸(suan)可用作清洗液。