目前石(shi)英(ying)坩(gan)(gan)堝(guo)生產涂(tu)層(ceng)技術已被大多數廠家使用就是在普通石(shi)英(ying)砂(sha)溶制(zhi)的坩(gan)(gan)堝(guo)表面(mian)涂(tu)上一層(ceng)高純度石(shi)英(ying)砂(sha)使其(qi)形成致(zhi)(zhi)密層(ceng)，其(qi)致(zhi)(zhi)密層(ceng)能阻止單晶(jing)硅(gui)高溫(wen)拉制(zhi)過程中硅(gui)與石(shi)英(ying)坩(gan)(gan)堝(guo)反應提高成晶(jing)率(lv)。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼(ni)明高純(chun)石(shi)英(ying)(ying)砂→高純(chun)石(shi)墨模(mo)具→真空(kong)裝料(liao)成(cheng)型→真空(kong)電弧熔制→自(zi)然冷卻(que)脫模(mo)→石(shi)英(ying)(ying)坩(gan)堝初步檢測(ce)→冷加工噴砂、切斷、倒角(jiao)→石(shi)英(ying)(ying)坩(gan)堝二次檢測(ce)→超凈清洗、超聲、高壓噴淋、自(zi)動烘干(gan)→石(shi)英(ying)(ying)坩(gan)堝三次檢驗→真空(kong)包裝→成(cheng)品入庫。

      石英坩堝用途

1、石(shi)英坩(gan)堝(guo)可在1450度以下使(shi)用，分透(tou)(tou)明(ming)和不透(tou)(tou)明(ming)兩種。用電弧法制(zhi)的半(ban)透(tou)(tou)明(ming)石(shi)英坩(gan)堝(guo)是拉制(zhi)大(da)直徑(jing)單(dan)晶(jing)硅(gui)，發展大(da)規模集成電路(lu)必不可少的基礎(chu)材料。

當今，世界半導體(ti)工業發達已用此坩堝取代了小(xiao)的透明石(shi)英(ying)坩堝。具有高(gao)純度(du)、耐(nai)溫性強、尺寸大精(jing)度(du)高(gao)、保(bao)溫性好、節約能源、質量(liang)穩定等優點。

　　2、不能和(he)HF接觸，高溫時(shi)，較(jiao)容易(yi)(yi)易(yi)(yi)和(he)苛性堿(jian)及堿(jian)金屬的碳酸鹽作用。

　　3、石英坩堝適于用K2S2O7,KHSO4作(zuo)熔劑熔融樣品和用Na2S207（先在(zai)212度烘(hong)干）作(zuo)熔劑處理樣品。

　　4、石英質(zhi)脆，易破(po)，使用時要注意。

　　5、除HF外，普(pu)通稀無機酸(suan)可用作(zuo)清洗液。