目(mu)前石(shi)英坩堝生(sheng)產(chan)涂層(ceng)技術(shu)已(yi)被大多(duo)數廠家使(shi)用就(jiu)是在普通石(shi)英砂溶(rong)制(zhi)的坩堝表面涂上(shang)一層(ceng)高(gao)純度石(shi)英砂使(shi)其(qi)形成(cheng)致(zhi)密(mi)層(ceng)，其(qi)致(zhi)密(mi)層(ceng)能(neng)阻止單晶硅高(gao)溫拉制(zhi)過程中硅與石(shi)英坩堝反應(ying)提高(gao)成(cheng)晶率。

　　石英坩堝工藝流程

尤(you)尼明高純石(shi)(shi)英砂(sha)→高純石(shi)(shi)墨模具→真(zhen)(zhen)空(kong)裝料成型→真(zhen)(zhen)空(kong)電弧(hu)熔制→自然冷卻脫(tuo)模→石(shi)(shi)英坩堝初(chu)步(bu)檢(jian)測(ce)(ce)→冷加工噴砂(sha)、切斷(duan)、倒角→石(shi)(shi)英坩堝二(er)次(ci)檢(jian)測(ce)(ce)→超凈清洗、超聲、高壓噴淋、自動烘干→石(shi)(shi)英坩堝三次(ci)檢(jian)驗(yan)→真(zhen)(zhen)空(kong)包裝→成品入(ru)庫(ku)。

      石英坩堝用途

1、石英(ying)坩堝(guo)可在1450度以下使(shi)用，分透明(ming)和不透明(ming)兩種。用電(dian)弧法制的半(ban)透明(ming)石英(ying)坩堝(guo)是拉制大直徑單晶(jing)硅，發展(zhan)大規模集成電(dian)路必不可少(shao)的基礎(chu)材料(liao)。

當(dang)今，世界半導體工業發達(da)已用此坩堝(guo)取(qu)代(dai)了小的透明石英坩堝(guo)。具有(you)高純(chun)度、耐(nai)溫(wen)(wen)性(xing)強、尺寸大精度高、保溫(wen)(wen)性(xing)好、節約能源(yuan)、質(zhi)量穩定等優點。

　　2、不(bu)能和(he)HF接觸，高溫時(shi)，較容易易和(he)苛性堿(jian)及堿(jian)金(jin)屬的碳酸鹽作用。

　　3、石英坩(gan)堝適于用(yong)K2S2O7,KHSO4作熔劑熔融(rong)樣品和用(yong)Na2S207（先在212度烘干）作熔劑處理樣品。

　　4、石英質脆(cui)，易破，使用時(shi)要注意。

　　5、除HF外，普(pu)通稀無機酸可(ke)用作清(qing)洗液。