目前石英(ying)坩(gan)堝(guo)生產(chan)涂(tu)(tu)層(ceng)技術已被大多數廠(chang)家使(shi)用就(jiu)是(shi)在普(pu)通(tong)石英(ying)砂溶制的坩(gan)堝(guo)表面涂(tu)(tu)上一層(ceng)高純度石英(ying)砂使(shi)其(qi)形成致密(mi)層(ceng)，其(qi)致密(mi)層(ceng)能阻(zu)止單(dan)晶硅(gui)高溫拉制過(guo)程中(zhong)硅(gui)與石英(ying)坩(gan)堝(guo)反(fan)應提高成晶率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼明高(gao)純石(shi)英(ying)砂→高(gao)純石(shi)墨模(mo)(mo)具→真空(kong)(kong)裝料成型→真空(kong)(kong)電弧熔制→自(zi)然(ran)冷(leng)卻脫模(mo)(mo)→石(shi)英(ying)坩(gan)堝初步檢(jian)測(ce)→冷(leng)加(jia)工(gong)噴砂、切(qie)斷、倒角→石(shi)英(ying)坩(gan)堝二(er)次檢(jian)測(ce)→超凈清(qing)洗、超聲、高(gao)壓噴淋、自(zi)動烘干(gan)→石(shi)英(ying)坩(gan)堝三次檢(jian)驗→真空(kong)(kong)包(bao)裝→成品入庫。

      石英坩堝用途

1、石英(ying)坩(gan)堝可在1450度以下(xia)使用，分透明和不(bu)透明兩種。用電弧(hu)法制的(de)半透明石英(ying)坩(gan)堝是(shi)拉制大直徑(jing)單晶硅(gui)，發展大規(gui)模集成(cheng)電路必不(bu)可少(shao)的(de)基礎材(cai)料。

當(dang)今，世界半導體工業發(fa)達已用此(ci)坩堝(guo)(guo)取代(dai)了小的透明石英坩堝(guo)(guo)。具有高純度、耐溫性(xing)強、尺寸大(da)精度高、保溫性(xing)好、節約能源、質量穩(wen)定等優(you)點。

　　2、不能和HF接觸，高(gao)溫時(shi)，較(jiao)容易易和苛性堿及(ji)堿金(jin)屬的碳酸(suan)鹽(yan)作(zuo)用。

　　3、石(shi)英坩堝適于(yu)用K2S2O7,KHSO4作(zuo)熔劑熔融樣(yang)品和用Na2S207（先在(zai)212度烘干）作(zuo)熔劑處(chu)理樣(yang)品。

　　4、石(shi)英質脆，易(yi)破，使用時(shi)要注意。

　　5、除HF外，普通稀無機酸可(ke)用作清洗液。