目前石(shi)英(ying)坩(gan)堝生(sheng)產涂層(ceng)(ceng)(ceng)技術已(yi)被(bei)大(da)多數廠家使用就是在(zai)普通(tong)石(shi)英(ying)砂溶制的坩(gan)堝表面涂上一層(ceng)(ceng)(ceng)高(gao)純度石(shi)英(ying)砂使其(qi)形成致密層(ceng)(ceng)(ceng)，其(qi)致密層(ceng)(ceng)(ceng)能阻(zu)止單晶硅(gui)高(gao)溫拉制過程中硅(gui)與石(shi)英(ying)坩(gan)堝反應提(ti)高(gao)成晶率(lv)。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼明高(gao)純石英(ying)砂→高(gao)純石墨(mo)模(mo)具→真(zhen)空裝(zhuang)料成(cheng)型(xing)→真(zhen)空電弧熔(rong)制→自(zi)(zi)然冷(leng)卻脫模(mo)→石英(ying)坩(gan)堝(guo)初步檢(jian)(jian)測(ce)→冷(leng)加(jia)工噴砂、切(qie)斷、倒角(jiao)→石英(ying)坩(gan)堝(guo)二次(ci)檢(jian)(jian)測(ce)→超凈(jing)清洗、超聲、高(gao)壓噴淋、自(zi)(zi)動烘干→石英(ying)坩(gan)堝(guo)三次(ci)檢(jian)(jian)驗→真(zhen)空包(bao)裝(zhuang)→成(cheng)品(pin)入庫。

      石英坩堝用途

1、石英坩堝可(ke)在1450度以下使(shi)用，分透(tou)(tou)(tou)明(ming)(ming)和不透(tou)(tou)(tou)明(ming)(ming)兩種。用電(dian)弧法(fa)制的(de)半(ban)透(tou)(tou)(tou)明(ming)(ming)石英坩堝是拉制大直徑(jing)單晶硅，發展大規(gui)模集成電(dian)路必不可(ke)少的(de)基礎材(cai)料(liao)。

當(dang)今，世界半導(dao)體工業發(fa)達已用此坩堝取代了小(xiao)的透(tou)明石英坩堝。具有高純度、耐(nai)溫(wen)性強、尺寸大(da)精度高、保溫(wen)性好、節約能源、質(zhi)量穩定等優點。

　　2、不(bu)能和HF接觸，高溫時，較(jiao)容易易和苛性(xing)堿(jian)及(ji)堿(jian)金屬的碳酸鹽作用。

　　3、石英坩堝適(shi)于用K2S2O7,KHSO4作熔劑(ji)熔融樣(yang)品和用Na2S207（先在212度烘干(gan)）作熔劑(ji)處理(li)樣(yang)品。

　　4、石(shi)英質脆，易破，使用(yong)時(shi)要注(zhu)意。

　　5、除(chu)HF外，普通稀無機酸(suan)可用作清(qing)洗(xi)液。