目(mu)前(qian)石(shi)英坩堝生產涂層(ceng)(ceng)(ceng)技術已被大多數廠(chang)家(jia)使用就(jiu)是在普通石(shi)英砂溶制的坩堝表面涂上一層(ceng)(ceng)(ceng)高純(chun)度石(shi)英砂使其形成(cheng)致密(mi)層(ceng)(ceng)(ceng)，其致密(mi)層(ceng)(ceng)(ceng)能(neng)阻止(zhi)單(dan)晶(jing)硅(gui)高溫拉(la)制過程中硅(gui)與石(shi)英坩堝反應提高成(cheng)晶(jing)率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼明高純(chun)石(shi)英(ying)砂→高純(chun)石(shi)墨模(mo)具→真空裝料成型→真空電弧熔制→自然冷(leng)卻脫模(mo)→石(shi)英(ying)坩堝(guo)初(chu)步檢(jian)測→冷(leng)加工噴(pen)砂、切斷、倒(dao)角(jiao)→石(shi)英(ying)坩堝(guo)二次檢(jian)測→超凈清(qing)洗、超聲、高壓噴(pen)淋、自動烘干→石(shi)英(ying)坩堝(guo)三次檢(jian)驗→真空包(bao)裝→成品入庫。

      石英坩堝用途

1、石英坩(gan)堝可(ke)(ke)在1450度以下使用，分透(tou)(tou)明(ming)和(he)不透(tou)(tou)明(ming)兩種。用電(dian)弧(hu)法制的半透(tou)(tou)明(ming)石英坩(gan)堝是拉制大(da)直徑(jing)單晶硅(gui)，發展大(da)規(gui)模集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)必不可(ke)(ke)少的基礎材料。

當今，世界(jie)半導體(ti)工(gong)業發達已用此坩堝取代(dai)了小(xiao)的(de)透明石英坩堝。具有高純度(du)、耐溫性(xing)強、尺(chi)寸大精(jing)度(du)高、保溫性(xing)好、節(jie)約(yue)能(neng)源、質(zhi)量(liang)穩定等優點。

　　2、不能(neng)和HF接(jie)觸，高溫時，較容易易和苛性堿及(ji)堿金屬的碳酸鹽作(zuo)用。

　　3、石英坩堝適(shi)于(yu)用(yong)K2S2O7,KHSO4作熔(rong)劑熔(rong)融樣品(pin)和用(yong)Na2S207（先(xian)在212度烘干(gan)）作熔(rong)劑處理樣品(pin)。

　　4、石(shi)英質脆，易破，使用時要注意。

　　5、除HF外，普通稀無機酸可用作清洗(xi)液。