目前石(shi)(shi)英(ying)坩堝生產涂(tu)層(ceng)(ceng)技(ji)術已被(bei)大多數廠家使用(yong)就(jiu)是在普通石(shi)(shi)英(ying)砂溶制的坩堝表面涂(tu)上一層(ceng)(ceng)高(gao)(gao)純度石(shi)(shi)英(ying)砂使其(qi)形成(cheng)致(zhi)密層(ceng)(ceng)，其(qi)致(zhi)密層(ceng)(ceng)能阻(zu)止(zhi)單晶硅高(gao)(gao)溫(wen)拉制過程(cheng)中硅與石(shi)(shi)英(ying)坩堝反應提高(gao)(gao)成(cheng)晶率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼明高純石(shi)英砂(sha)→高純石(shi)墨(mo)模具(ju)→真(zhen)空裝(zhuang)料成型→真(zhen)空電弧(hu)熔(rong)制→自(zi)然冷卻脫模→石(shi)英坩(gan)(gan)堝(guo)(guo)初步檢測→冷加工噴砂(sha)、切斷、倒(dao)角→石(shi)英坩(gan)(gan)堝(guo)(guo)二次(ci)(ci)檢測→超凈清洗、超聲、高壓噴淋、自(zi)動烘干→石(shi)英坩(gan)(gan)堝(guo)(guo)三(san)次(ci)(ci)檢驗→真(zhen)空包裝(zhuang)→成品入(ru)庫(ku)。

      石英坩堝用途

1、石英(ying)坩堝可在1450度以下使用(yong)，分(fen)透明(ming)和不(bu)透明(ming)兩種。用(yong)電弧法制的(de)半透明(ming)石英(ying)坩堝是拉制大直徑單晶(jing)硅，發展(zhan)大規模集成電路必不(bu)可少的(de)基礎(chu)材(cai)料。

當今，世界半導體工業(ye)發達已用此(ci)坩堝取代了小的透明石英坩堝。具有高純度、耐(nai)溫性強、尺寸(cun)大精度高、保溫性好、節約能源(yuan)、質(zhi)量穩定等優點。

　　2、不能和(he)HF接觸，高(gao)溫時，較容易(yi)易(yi)和(he)苛性堿(jian)及(ji)堿(jian)金屬(shu)的碳酸鹽作用。

　　3、石(shi)英坩堝適于用(yong)K2S2O7,KHSO4作(zuo)(zuo)熔(rong)劑(ji)熔(rong)融樣品和(he)用(yong)Na2S207（先(xian)在212度烘(hong)干）作(zuo)(zuo)熔(rong)劑(ji)處理樣品。

　　4、石英(ying)質脆，易破，使用時(shi)要注(zhu)意。

　　5、除HF外，普通稀(xi)無機酸可用作清洗液。