目前石(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo)生(sheng)產(chan)涂層技術已被大(da)多數廠家使用就是在(zai)普通石(shi)英(ying)砂溶制的坩(gan)堝(guo)表面涂上一(yi)層高(gao)純(chun)度(du)石(shi)英(ying)砂使其形成致密層，其致密層能阻(zu)止單晶(jing)硅高(gao)溫(wen)拉制過程中硅與石(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo)反應提高(gao)成晶(jing)率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼(ni)明(ming)高純(chun)石(shi)英砂→高純(chun)石(shi)墨模具→真(zhen)空裝料(liao)成(cheng)型→真(zhen)空電弧熔制→自然(ran)冷(leng)(leng)卻脫(tuo)模→石(shi)英坩堝初步(bu)檢測→冷(leng)(leng)加工(gong)噴砂、切斷、倒角(jiao)→石(shi)英坩堝二次(ci)檢測→超(chao)凈清(qing)洗(xi)、超(chao)聲、高壓噴淋、自動烘干→石(shi)英坩堝三(san)次(ci)檢驗→真(zhen)空包裝→成(cheng)品入庫。

      石英坩堝用途

1、石英(ying)坩(gan)堝(guo)可(ke)在1450度以下使用(yong)，分(fen)透(tou)明(ming)和不(bu)透(tou)明(ming)兩種。用(yong)電弧(hu)法(fa)制的(de)(de)半透(tou)明(ming)石英(ying)坩(gan)堝(guo)是(shi)拉制大直徑(jing)單晶硅，發展大規模集成電路必不(bu)可(ke)少的(de)(de)基礎材料(liao)。

當今(jin)，世界半導體工業發達已用此坩(gan)堝取代了小的透明石英坩(gan)堝。具有高(gao)純度、耐(nai)溫性強、尺寸(cun)大精度高(gao)、保(bao)溫性好、節約能源、質量穩定(ding)等優點。

　　2、不能和(he)HF接觸，高溫時，較容易易和(he)苛性堿及堿金(jin)屬(shu)的碳酸鹽作用。

　　3、石英坩堝(guo)適于用(yong)K2S2O7,KHSO4作熔(rong)劑熔(rong)融樣品和(he)用(yong)Na2S207（先在212度烘干）作熔(rong)劑處理(li)樣品。

　　4、石英質脆，易破，使用時要注(zhu)意。

　　5、除HF外，普通稀無機酸可用作清洗液。