目前石(shi)英(ying)(ying)(ying)坩(gan)(gan)堝(guo)(guo)生產涂層(ceng)技(ji)術已被大多數廠家使(shi)(shi)用就是在普通石(shi)英(ying)(ying)(ying)砂溶制的坩(gan)(gan)堝(guo)(guo)表(biao)面(mian)涂上一層(ceng)高純度石(shi)英(ying)(ying)(ying)砂使(shi)(shi)其形成致(zhi)密層(ceng)，其致(zhi)密層(ceng)能阻(zu)止單晶硅高溫(wen)拉制過程中(zhong)硅與石(shi)英(ying)(ying)(ying)坩(gan)(gan)堝(guo)(guo)反應提高成晶率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼(ni)明高(gao)純石(shi)(shi)英(ying)砂→高(gao)純石(shi)(shi)墨模(mo)具→真空裝(zhuang)料成(cheng)型(xing)→真空電弧(hu)熔制→自(zi)(zi)然(ran)冷卻脫(tuo)模(mo)→石(shi)(shi)英(ying)坩堝(guo)初步(bu)檢測→冷加(jia)工噴砂、切斷、倒角→石(shi)(shi)英(ying)坩堝(guo)二(er)次檢測→超(chao)凈清洗、超(chao)聲、高(gao)壓噴淋、自(zi)(zi)動烘干→石(shi)(shi)英(ying)坩堝(guo)三(san)次檢驗→真空包裝(zhuang)→成(cheng)品入(ru)庫。

      石英坩堝用途

1、石英坩堝可在1450度以下使用，分透明和(he)不透明兩種。用電弧(hu)法制的(de)半透明石英坩堝是拉制大直(zhi)徑單晶(jing)硅，發展(zhan)大規模(mo)集成電路必(bi)不可少的(de)基礎材料。

當今，世界半(ban)導體工業發達已用此坩(gan)堝取代(dai)了小的(de)透明石英坩(gan)堝。具(ju)有高純(chun)度(du)、耐溫性強、尺寸大(da)精度(du)高、保溫性好、節約能(neng)源、質量穩定等優點。

　　2、不能和(he)HF接觸(chu)，高溫時(shi)，較容易易和(he)苛性(xing)堿(jian)及堿(jian)金(jin)屬的碳(tan)酸鹽作用。

　　3、石英(ying)坩堝(guo)適(shi)于用(yong)K2S2O7,KHSO4作熔劑熔融樣(yang)品和用(yong)Na2S207（先在212度烘干）作熔劑處理樣(yang)品。

　　4、石英質(zhi)脆(cui)，易破，使用時要注(zhu)意。

　　5、除HF外，普通稀無機酸可用作清洗(xi)液。