目(mu)前石英(ying)(ying)坩堝(guo)生產涂層(ceng)技術(shu)已被大多數廠家(jia)使用就是(shi)在(zai)普通石英(ying)(ying)砂(sha)溶制的坩堝(guo)表(biao)面涂上一層(ceng)高純度石英(ying)(ying)砂(sha)使其形成致(zhi)密(mi)層(ceng)，其致(zhi)密(mi)層(ceng)能阻止單晶(jing)硅高溫拉(la)制過程中硅與(yu)石英(ying)(ying)坩堝(guo)反應提(ti)高成晶(jing)率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼明高(gao)純石(shi)英砂(sha)(sha)→高(gao)純石(shi)墨模(mo)具→真空裝料成型→真空電(dian)弧熔制→自然冷(leng)(leng)卻脫(tuo)模(mo)→石(shi)英坩(gan)堝(guo)初步檢測(ce)→冷(leng)(leng)加工噴(pen)砂(sha)(sha)、切斷、倒(dao)角(jiao)→石(shi)英坩(gan)堝(guo)二次檢測(ce)→超凈清洗、超聲(sheng)、高(gao)壓噴(pen)淋、自動烘干→石(shi)英坩(gan)堝(guo)三次檢驗→真空包裝→成品入(ru)庫。

      石英坩堝用途

1、石英(ying)(ying)坩堝(guo)可(ke)在(zai)1450度以(yi)下使(shi)用，分透(tou)明和不透(tou)明兩種。用電弧(hu)法制的(de)半透(tou)明石英(ying)(ying)坩堝(guo)是拉制大直徑單(dan)晶(jing)硅，發(fa)展大規(gui)模集成電路必不可(ke)少的(de)基礎(chu)材料。

當今，世界半導體工業(ye)發達已用此坩堝(guo)取代了小的透明石(shi)英(ying)坩堝(guo)。具有高純度、耐溫性強、尺寸(cun)大精度高、保(bao)溫性好、節(jie)約能(neng)源、質(zhi)量(liang)穩定等(deng)優點(dian)。

　　2、不能和HF接觸，高(gao)溫時，較容易易和苛性堿及(ji)堿金屬的(de)碳(tan)酸(suan)鹽作用。

　　3、石英坩(gan)堝(guo)適于用(yong)K2S2O7,KHSO4作熔(rong)劑熔(rong)融(rong)樣(yang)品和用(yong)Na2S207（先(xian)在212度烘干）作熔(rong)劑處理樣(yang)品。

　　4、石英質脆，易破，使用時要注意。

　　5、除HF外，普(pu)通稀無機(ji)酸(suan)可用作清洗液。