目前石英(ying)坩堝生產涂(tu)層(ceng)(ceng)技術已(yi)被(bei)大多數廠(chang)家使用就(jiu)是在普通石英(ying)砂溶制的(de)坩堝表面涂(tu)上一(yi)層(ceng)(ceng)高(gao)純(chun)度石英(ying)砂使其(qi)形成致密層(ceng)(ceng)，其(qi)致密層(ceng)(ceng)能(neng)阻止單晶(jing)硅高(gao)溫拉(la)制過(guo)程(cheng)中硅與石英(ying)坩堝反應提(ti)高(gao)成晶(jing)率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼明高純(chun)石(shi)(shi)英(ying)(ying)砂→高純(chun)石(shi)(shi)墨模(mo)(mo)具(ju)→真空裝(zhuang)料成型→真空電弧熔制→自(zi)然冷卻脫模(mo)(mo)→石(shi)(shi)英(ying)(ying)坩堝(guo)初步(bu)檢(jian)測→冷加工(gong)噴砂、切斷、倒角(jiao)→石(shi)(shi)英(ying)(ying)坩堝(guo)二次檢(jian)測→超(chao)(chao)凈清(qing)洗、超(chao)(chao)聲、高壓(ya)噴淋、自(zi)動(dong)烘(hong)干→石(shi)(shi)英(ying)(ying)坩堝(guo)三(san)次檢(jian)驗(yan)→真空包裝(zhuang)→成品(pin)入庫。

      石英坩堝用途

1、石英坩(gan)(gan)堝可在(zai)1450度以下(xia)使用(yong)，分透明和(he)不透明兩種。用(yong)電弧法制(zhi)的(de)(de)半透明石英坩(gan)(gan)堝是拉制(zhi)大直徑單晶(jing)硅，發(fa)展(zhan)大規模集成電路(lu)必(bi)不可少的(de)(de)基礎材(cai)料。

當(dang)今，世界(jie)半導體工業發(fa)達已用此坩堝取代(dai)了小的透明石英坩堝。具有高(gao)純(chun)度、耐溫(wen)性強、尺(chi)寸大精度高(gao)、保溫(wen)性好(hao)、節約能(neng)源、質(zhi)量(liang)穩定等優點。

　　2、不能和(he)HF接觸，高溫時，較容易(yi)易(yi)和(he)苛(ke)性堿及堿金(jin)屬的(de)碳酸鹽作用。

　　3、石(shi)英坩堝適于用K2S2O7,KHSO4作(zuo)熔劑熔融樣品(pin)和用Na2S207（先在212度(du)烘干(gan)）作(zuo)熔劑處理樣品(pin)。

　　4、石英質脆，易破，使用時要注意(yi)。

　　5、除(chu)HF外(wai)，普通稀無(wu)機酸可用作清洗液。