目(mu)前石(shi)英(ying)坩(gan)(gan)堝(guo)生產涂層(ceng)(ceng)(ceng)技術已(yi)被(bei)大多(duo)數(shu)廠(chang)家使(shi)用就是在(zai)普通石(shi)英(ying)砂溶(rong)制(zhi)的坩(gan)(gan)堝(guo)表面涂上一(yi)層(ceng)(ceng)(ceng)高(gao)(gao)純度(du)石(shi)英(ying)砂使(shi)其形成致(zhi)密層(ceng)(ceng)(ceng)，其致(zhi)密層(ceng)(ceng)(ceng)能阻(zu)止單晶硅(gui)(gui)高(gao)(gao)溫拉(la)制(zhi)過程(cheng)中(zhong)硅(gui)(gui)與石(shi)英(ying)坩(gan)(gan)堝(guo)反應提高(gao)(gao)成晶率。

　　石英坩堝工藝流程

尤(you)尼(ni)明高(gao)純(chun)石(shi)(shi)(shi)(shi)英砂(sha)→高(gao)純(chun)石(shi)(shi)(shi)(shi)墨模(mo)具→真空裝料成型(xing)→真空電(dian)弧熔(rong)制→自(zi)然冷(leng)卻脫模(mo)→石(shi)(shi)(shi)(shi)英坩堝初步(bu)檢(jian)測(ce)→冷(leng)加工噴(pen)砂(sha)、切斷、倒(dao)角→石(shi)(shi)(shi)(shi)英坩堝二次(ci)檢(jian)測(ce)→超(chao)凈清洗、超(chao)聲(sheng)、高(gao)壓噴(pen)淋、自(zi)動烘干(gan)→石(shi)(shi)(shi)(shi)英坩堝三次(ci)檢(jian)驗→真空包(bao)裝→成品(pin)入庫(ku)。

      石英坩堝用途

1、石(shi)英坩堝可(ke)在1450度(du)以(yi)下使(shi)用(yong)，分透明(ming)和不透明(ming)兩種。用(yong)電(dian)弧法制的半透明(ming)石(shi)英坩堝是拉制大(da)直(zhi)徑(jing)單晶硅(gui)，發展大(da)規模集成(cheng)電(dian)路必不可(ke)少(shao)的基礎(chu)材料。

當今，世界(jie)半導體工業(ye)發(fa)達已(yi)用此坩堝(guo)取(qu)代了小的(de)透明石英坩堝(guo)。具有高純度、耐溫(wen)(wen)性強、尺寸大精(jing)度高、保溫(wen)(wen)性好、節約能源、質(zhi)量穩定(ding)等優點。

　　2、不能和(he)HF接觸(chu)，高溫時(shi)，較(jiao)容易易和(he)苛性堿及堿金屬的碳酸(suan)鹽作用。

　　3、石英坩堝適于用K2S2O7,KHSO4作熔劑熔融樣(yang)品和用Na2S207（先在212度烘干）作熔劑處理樣(yang)品。

　　4、石英(ying)質脆，易破，使用時要注意(yi)。

　　5、除HF外(wai)，普通稀無機酸可用作清洗液(ye)。